主要從事電工電子領(lǐng)域高、低壓電器的電接觸材料、晶體振蕩器電子封裝材料、集成電路陶瓷封裝外殼引線框架材料、IGBT封裝電極材料等開(kāi)展應(yīng)用研究及成果轉(zhuǎn)化等工作。研究室現(xiàn)有專(zhuān)職研究人員12名，技術(shù)人員12名，其中碩士1名，副高級(jí)職稱(chēng)7名，工程師1名。

研制AgCu15/4J29復(fù)合材料制備技術(shù)，應(yīng)用于晶振元件中陶瓷與金屬的密封連接。研制Al/FeNi42復(fù)合材料制備技術(shù)，應(yīng)用于集成電路陶瓷封裝外殼的引線框架，實(shí)現(xiàn)與芯片的鍵合。研制Al/Cu復(fù)合材料制備技術(shù)，應(yīng)用于IGBT封裝電極。研制“超細(xì)鎳顆粒AgNi環(huán)保電接觸材料，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，攻克日本田中在超細(xì)Ni顆粒產(chǎn)品的技術(shù)壁壘。